tension de la mémoire DDR5
La tension de la mémoire DDR5 représente une avancée significative dans la technologie des mémoires RAM, fonctionnant à une tension nominale de 1,1 V par rapport à 1,2 V pour la DDR4. Cette réduction de la tension de fonctionnement apporte d'importantes améliorations en termes d'efficacité énergétique et de performances. L'architecture de la mémoire DDR5 intègre un circuit intégré de gestion d'énergie (PMIC) directement sur le module mémoire, permettant une régulation plus précise de la tension et une meilleure distribution de l'énergie. Cette conception innovante assure une stabilité accrue pendant les opérations à haute vitesse et prend en charge des fréquences mémoire améliorées, allant de 4800 MHz à 8400 MHz. Le système de gestion de tension de la DDR5 dispose également de deux rails d'alimentation de 12 pouces chacun, séparant l'alimentation électrique entre les opérations du tableau mémoire et celles de l'interface, ce qui réduit le bruit et améliore l'intégrité du signal. En outre, le système de tension de la mémoire DDR5 inclut des mécanismes avancés de régulation de tension qui contribuent à maintenir une opération stable même sous charge élevée, le rendant particulièrement adapté aux applications gourmandes en données et aux environnements informatiques hautes performances.