плотность памяти DDR5
Плотность памяти DDR5 представляет собой значительный прогресс в технологии ОЗУ, обеспечивая беспрецедентную ёмкость хранения данных и улучшение производительности по сравнению с предыдущими поколениями. Новое поколение технологий памяти достигает более высокой плотности за счет инновационной многослойной компоновки кристаллов и передовых производственных процессов, что позволяет отдельным модулям достигать емкости до 128 ГБ. Повышенная плотность обеспечивает более эффективную обработку и хранение данных в пределах того же физического пространства, что и у предыдущих поколений. Архитектура плотности памяти DDR5 включает улучшенные возможности коррекции ошибок, внутрисхемную коррекцию ошибок (on-die ECC) и усовершенствованное регулирование напряжения, гарантируя целостность данных при более высоких скоростях и объемах. Технология поддерживает более высокую пропускную способность, достигающую 6400 МТ/с в стандартных конфигурациях, сохраняя энергоэффективность благодаря пониженном рабочему напряжению 1,1 В. Эти улучшения плотности делают DDR5 особенно ценной для центров обработки данных, приложений высокопроизводительных вычислений и игровых систем нового поколения, где объем и скорость памяти являются решающими факторами. Повышенная плотность также способствует лучшим возможностям многозадачности и более быстрому доступу к данным, что делает ее идеальной для сложных вычислительных задач и приложений, требующих больших объемов памяти.